Atomera Incorporated ha anunciado avances en su tecnología de nitruro de galio (GaN) sobre silicio, logrando una reducción significativa en las pérdidas en canales parásitos. Esto mejora la eficiencia de dispositivos de radiofrecuencia (RF) y es relevante para aplicaciones 5G y futuras 6G.

• 01La tecnología Mears Silicon Technology de Atomera ha logrado una reducción de más de 10 veces en las pérdidas de carga del canal parásito en comparación con obleas de referencia.
• 02La linealidad de las muestras mejoradas es 1,000 veces superior a la de las obleas de referencia de GaN sobre silicio a 30 mW de potencia de entrada.
• 03Los dispositivos de GaN sobre silicio son más económicos y compatibles con procesos de fabricación estándar, a pesar de haber tenido un rendimiento inferior históricamente.
• 04La tecnología está diseñada para aplicaciones en 5G y futuras 6G, así como en dispositivos de RF de alta frecuencia.
• 05Las acciones de Atomera han experimentado una volatilidad significativa, con un aumento del 263% en seis meses, pero una caída del 18.5% en la última semana.

La tecnología de Atomera podría revolucionar la fabricación de dispositivos de RF, haciéndolos más eficientes y económicos.