Investigadores de la Universidad de Tokio han desarrollado un nuevo dispositivo de memoria que supera las limitaciones de la DRAM, ofreciendo una velocidad de cambio de estado de 40 picosegundos, casi 1,000 veces más rápida que las memorias convencionales. Este avance podría reducir significativamente el consumo de energía y la necesidad de refrigeración en sistemas de inteligencia artificial.

• 01El nuevo dispositivo utiliza materiales ferromagnéticos, específicamente Mn3Sn, para mejorar la velocidad y reducir el calentamiento.
• 02La temperatura del dispositivo solo aumenta 8 K durante su funcionamiento, lo que minimiza los problemas de sobrecalentamiento.
• 03El dispositivo puede ser activado mediante pulsos eléctricos cortos, evitando el uso de calor para cambiar de estado.
• 04Los investigadores también demostraron la capacidad de cambiar el estado del dispositivo utilizando luz, abriendo posibilidades para la conexión óptica.
• 05A pesar de sus prometedoras características, la tecnología aún se encuentra en fase experimental y no está lista para la producción en masa.

El avance en la tecnología de memoria podría optimizar el rendimiento de los sistemas de inteligencia artificial, reduciendo costos operativos y mejorando la eficiencia energética.